デュアルバンド量子井戸赤外線センシングアレイ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000516377
Publication number (International publication number)：2002503877
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Feb. 05, 2002
Summary：

【要約】センシングピクセル(100)のアレイは、2以上の赤外線を検出する。各センシングピクセル(100)は、共通電圧(VBIAS)でバイアスされた、少なくとも2つの異なる量子井戸センシングスタック(110、120)を有する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された複数のセンシングピクセルで構成される半導体放射線センシングアレイであって、各センシングピクセルは、所定の導電型を有するようにドープされた第1の半導体コンタクト層と、前記第1の半導体コンタクト層の上方に設けられるとともに、第1の井戸幅を持つ第1の数の量子井戸を形成しかつ第1のドーピングレベルでドープされている複数の交番する半導体層を持つように構成された第1の量子井戸センシングスタックであって、前記第1のセンシングスタックが第1の作動波長で放射線に応答して第1の量の帯電キャリヤを生成するようになっているセンシングスタックと、前記所定の導電型を有するようにドープされるとともに、前記第1のセンシングスタック上に形成された少なくとも1つの第2の半導体コンタクト層と、前記第2の半導体コンタクト層の上方に設けられるとともに、第2の井戸幅を持つ第2の数の量子井戸を形成しかつ第2のドーピングレベルでドープされている複数の交番する半導体層を持つように構成された第2の量子井戸センシングスタックであって、前記第2のセンシングスタックが第1の作動波長と異なる第2の作動波長で放射線に応答して第2の量の帯電キャリヤを生成するようになっているセンシングスタックと、前記所定の導電型を有するようにドープされるとともに、前記第2の量子井戸センシングスタック上に形成された第3の半導体コンタクト層とを含んでおり、前記第1と第3の半導体コンタクト層が前記第2の半導体コンタクト層に関して共通バイアス電気ポテンシャルに維持されており、前記第1と第2の量子井戸センシングスタックが共通電圧差でバイアスされることを特徴とするアレイ。

IPC (3)：

H01L 31/10 , H01L 27/14 , H01L 29/06

FI (3)：

H01L 29/06 , H01L 31/10 D , H01L 27/14 K

F-Term (17)：

4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118BA30 , 4M118CA01 , 4M118CB01 , 4M118CB02 , 4M118CB05 , 4M118CB09 , 4M118GA10 , 5F049MA01 , 5F049MB07 , 5F049NA04 , 5F049QA07 , 5F049QA16 , 5F049RA02 , 5F049UA20 , 5F049WA01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

特開平3-094480
特開平4-286373
特開平3-240278

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Cited by examiner (10)

特開平3-094480
特開平4-286373
特開平3-240278

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