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J-GLOBAL ID：200903023817807572
化合物半導体とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141806
Publication number (International publication number)：1993335241
Application date： Jun. 02, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【構成】 ハロゲン元素を含まない水素化物及びハロゲン元素を含まない有機金属を成長用原料とするIII-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法において、III族有機金属原料ガスと、ハライドガス及び/又はハロゲンガスを交互に成長室内に導入することを繰り返して薄膜を成長させることを特徴とする気相成長方法。【効果】 従来のMOVPE法とほとんど変わらない成長条件で成長させて、ヘテロ界面を平坦化させたり、表面モホロジーやファセット表面が平坦に改善され、また広い範囲にわたりマスク上に多結晶を堆積させずに高品質な結晶成長が可能となる。
Claim (excerpt)：
ハロゲン元素を含まない水素化物及びハロゲン元素を含まない有機金属を成長用原料とするIII-V族化合物半導体薄膜の気相成長方法において、III族有機金属原料ガスと、ハライドガス及び/又はハロゲンガスを交互に成長室内に導入することを繰り返して薄膜を成長させることを特徴とする気相成長方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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