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J-GLOBAL ID：200903023823701034

エピタキシャル膜の検査素子及びその製造方法

Inventor： 山野 浩司
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998009057
Publication number (International publication number)：1999214457
Application date： Jan. 20, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 超高速バイポーラ素子の性能を決定するエピタキシャル膜の諸特性を、工程内で簡便に測定することができるエピタキシャル膜の検査素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 P型半導体基板の主面に多結晶半導体膜と耐酸化膜(104)をパターニングし開口されたスリット部107Aと、このスリット部107Aに形成されるエピタキシャル膜と、このエピタキシャル膜に接続される測定端子引き出し用パッド部107Bを具備する。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板の主面に多結晶半導体膜と耐酸化膜をパターニングし開口されたスリット部と、該スリット部に形成されるエピタキシャル膜と、該エピタキシャル膜に接続される測定端子引き出し用パッド部とを具備することを特徴とするエピタキシャル膜の検査素子。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/20

FI (4)：

H01L 21/66 E ,  H01L 21/66 U ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/20