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J-GLOBAL ID：200903023840412070

シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 吉見 雅士 ,  多和田 裕子
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999050589
Publication number (International publication number)：2000252500
Application date： Feb. 26, 1999
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 光電変換特性のばらつきを低減したシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 基板(1)上に順次形成された、透明電極(10)と、シリコン系薄膜光電変換ユニット(11)と、光反射性金属電極(122)を含む裏面電極(12)とを具備したシリコン系薄膜光電変換装置において、透明電極(10)は基板側から第1および第2の透明導電膜(101、102)を積層した2層構造をなし、第1透明導電膜(101)は表面の凹凸の平均高低差が100〜1000nmであり、第2透明導電膜(102)は平均膜厚が50〜500nmであり表面の凹凸の平均高低差が第1透明導電膜(101)のそれよりも小さい。

Claim (excerpt)：

基板上に順次形成された、透明電極と、シリコン系薄膜光電変換ユニットと、光反射性金属電極を含む裏面電極とを具備したシリコン系薄膜光電変換装置において、前記透明電極は基板側から第1および第2の透明導電膜を積層した2層構造をなし、前記第1透明導電膜は表面の凹凸の平均高低差が100〜1000nmであり、前記第2透明導電膜は平均膜厚が50〜500nmであり表面の凹凸の平均高低差が第1透明導電膜のそれよりも小さいことを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 M

F-Term (18)：

5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CB12 ,  5F051CB15 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA17 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-216489
  
• 特開昭61-216489