Pat

J-GLOBAL ID：200903023845277210

半導体ウェハをダイシングする装置および方法

Inventor： ルーミス、ジェイムス・ダブリュー ,  トゥイーディ、リチャード・ティー
Applicant, Patent owner： ルーミス・インダストリーズ・インコーポレーテッド
Agent (1)： 大橋 邦彦
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996505299
Publication number (International publication number)：1997503352
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Mar. 31, 1997
Summary：

【要約】圧縮されるが拡張可能な正方形フレーム(2)の辺部材に固定されたスイス・クロスの形の薄い弾性被膜(26)の粘着性面上に、チップを形成するようにダイシングすべきウェハ(64)を配置する。フレームは、ダイシング工程中にフレーム自体、したがって被膜が拡張できるようにスクライブ・アンド・ダイス装置(89)に解放状態で配置される。ウェハをダイシングした後、被膜が拡張固定具(122)内にある間に被膜を加熱することによってさらに拡張を施し、隣接するチップを損傷せずに被膜からチップを確実に除去する。被膜上の粘着性材料は、チップを形成した後に紫外線エネルギーなどに当てることによって粘着性を低下させることができる。

Claim (excerpt)：

スクライビングおよび分割によって製作されたダイシング済み部材どうしを分離する装置であって、 4つの中空辺部材からなる対称的に伸縮拡張可能なフレームと、中空辺部材の端部において伸縮する4つの隅部材と、隅部材に外側への力を加えてフレーム上に拡張力を与えるために中空辺部材に配設された4つの整合バネと、 前記フレームを圧縮する手段と、 圧縮されたフレームの4つの辺部材に固定される弾性材料とを備えることを特徴とする装置。