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J-GLOBAL ID：200903023848577583
フォトセンサシステム
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993098968
Publication number (International publication number)：1994291355
Application date： Mar. 31, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高感度光特性を有すると共に、製造プロセスが簡略化されたフォトセンサシステムを提供することを目的とする。【構成】 フォトセンサシステム1は、単結晶シリコン基板5上に所定膜厚の絶縁性基板6が形成されている。絶縁性基板6には、ダブルゲート構造のアモルファスシリコンを用いたTFTのフォトセンサ2が形成され、光照射時と光無照射時とのドレイン電流の差が十分大きくとれるので、高感度の光特性が得られる。また、p型の単結晶シリコン基板5には、n+ の高濃度不純物拡散層を形成することによって、フォトセンサ2を駆動制御するn-MOSFET4等の種々の回路素子を簡易なプロセスで形成することができる。フォトセンサ2とn-MOSFET4とは、上下に積層配置することによって、フォトセンサシステムが小型化され、画素の高密度化が図れるよう構成される。
Claim (excerpt)：
照射光の光量に応じた所定電荷を発生する光電変換手段と、該光電変換手段を駆動制御する光電変換駆動制御手段と、前記光電変換手段の出力信号を前記光電変換駆動制御手段に搬送する信号搬送手段と、を備え、前記光電変換手段の少なくとも主要部と、前記光電変換駆動制御手段の少なくとも主要部とが基板上に積層形成されたことを特徴とするフォトセンサシステム。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 E
, H01L 27/14 A
Cited by examiner (3)
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特開平1-149444
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特開平1-133341
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特開平3-082171
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