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J-GLOBAL ID：200903023852726810

電力用半導体素子

Inventor： 北川 光彦 ,  臼田 宏治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991257993
Publication number (International publication number)：1993102497
Application date： Oct. 04, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】優れた応答特性と低いオン電圧を持つ電力用半導体素子を提供することを目的とする。【構成】n- 型ベース層11の一方の面にp+ 型エミッタ層12、他方の面にn+ 型エミッタ層13を持つ電力用の高耐圧ダイオードであって、n- 型ベース層11およびn+ 型エミッタ層13部分にSiを用い、p+ 型エミッタ層12部分に広バンドギャップのSiCを用いることにより、低いオン電圧と高速応答特性を実現した。

Claim (excerpt)：

高抵抗の第1導電型ベース層と、このベース層にキャリアを注入する高濃度の第2導電型エミッタ層を有する電力用半導体素子において、前記第1導電型ベース層に前記第2導電型エミッタ層よりバンドギャップの狭い半導体材料を用いたことを特徴とする電力用半導体素子。

IPC (2)：

H01L 29/90 ,  H01L 29/74

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 特開昭61-089666
  
• 特開昭64-059873
  
• 特開昭50-156375
  
• 特開平2-253659
  
• 特開平1-095515