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J-GLOBAL ID：200903023858597450

分布帰還型半導体レーザ

Inventor： 東門 領一 ,  菊川 知之
Applicant, Patent owner： アンリツ株式会社
Agent (1)： 小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993270081
Publication number (International publication number)：1995106697
Application date： Sep. 30, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】利得結合型の分布帰還半導体レーザを、凹凸面を形成することなく得ることを目的とする。【構成】活性層4の近傍にバッファ層5とクラッド層8の間に設けられた量子井戸層6が、活性層4の発振波長において光吸収性を有している。そして、その量子井戸層6は誘導放出光の光軸方向に沿って分布帰還を施す周期で無秩序化された第1の領域9と、バッファ層5、クラッド層8と同一の導電性を有する第2の領域10とを含み第1の領域は第2の領域よりも低い光吸収率を有している。

Claim (excerpt)：

誘導放出光を発生する活性層(4)と、該活性層の上に備えた第1の導電性を有するバッファ層(5)と、該バッファ層の上に備えた活性層の発振波長において光吸収性を有する量子井戸層(6)と、該量子井戸層の上に備えた前記バッファ層と同じ導電性を有するクラッド層(8)とを備え、前記量子井戸層は前記誘導放出光の光軸方向に沿って分布帰還を施す周期で無秩序化され、かつ、前記第1の導電性を有する第1の領域(9)と、それらの領域の間にあって前記第1の導電性と逆の導電性を有する第2の領域(10)とを含み、前記第1の領域は第2の領域よりも低い光吸収率を有することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。