ヒートシンク付セラミック回路基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須田正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996221477
Publication number (International publication number)：1998065075
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】熱サイクル寿命が長いヒートシンク付セラミック回路基板を提供する。【解決手段】セラミック基板13の両面にAl-Si系ろう材を介して第1及び第2アルミニウム板11,12がそれぞれ積層接着され、AlSiC系複合材料により形成されたヒートシンク14が第1アルミニウム板11の表面に積層接着される。セラミック基板13はAlN,Si3N4又はAl2O3により形成される。またヒートシンク14中のAl合金のAl純度が80〜95重量%でありかつ第1アルミニウム板11又は第2アルミニウム板12のAl純度が99.98重量%以上であって、ヒートシンク14が第1アルミニウム板11にヒートシンク14中のAl合金を介して積層接着される。

Claim (excerpt)：

セラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にAl-Si系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第1及び第2アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)と、AlSiC系複合材料により形成され前記第1又は第2アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)の表面に積層接着されたヒートシンク(14)とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板。

IPC (5)：

H01L 23/373 , C22C 21/00 , H05K 1/03 610 , H05K 1/09 , H05K 3/38

FI (5)：

H01L 23/36 M , C22C 21/00 E , H05K 1/03 610 D , H05K 1/09 A , H05K 3/38 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-125463
高放熱性セラミックパッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-129909 Applicant：三菱マテリアル株式会社
半導体チップの実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331089 Applicant：三菱マテリアル株式会社

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