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J-GLOBAL ID：200903023916123855

炭酸ガス還元装置

Inventor： 深澤 孝幸 ,  立石 浩史 ,  上野 文雄 ,  堀口 昭宏 ,  角野 裕康 ,  アルベサール 恵子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999280661
Publication number (International publication number)：2001097894
Application date： Sep. 30, 1999
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 炭酸ガス分離の処理能力の高い炭酸ガス還元装置の提供。【解決手段】 導電層7および導電層7表面に酸化チタンからなる光触媒8を担持させたアノードと、導電層7および導電層7表面に炭化珪素からなる光触媒8を担持させたカソードと、アノードおよびカソードで挟持された電解質膜10とからなる素子において、アノードに供給された水を酸化チタンの光触媒能を用いて酸化し、カソードに供給される炭酸ガスを炭化珪素の光触媒能を用いて還元することで、素子全体の反応を促進させ、ひいては炭酸ガスの分解の処理能力を向上させる。

Claim (excerpt)：

電解質膜と、この電解質膜表面に形成され、価電子帯電位が水の酸化電位よりも大きい半導体物質からなり、供給される水と接触するように配置された第1の光触媒と、前記電解質膜表面に形成され、伝導帯電位が炭酸ガスの還元電位よりも負に大きい半導体物質からなり、供給される二酸化炭素と接触するように配置された第2の光触媒とを有することを特徴とする炭酸ガス還元装置。

IPC (10)：

C07C 1/12 ,  B01J 35/02 ,  C07C 9/04 ,  C07C 29/15 ,  C07C 31/04 ,  C07C 45/61 ,  C07C 47/04 ,  C07C 51/15 ,  C07C 53/02 ,  C07B 61/00 300

FI (10)：

C07C 1/12 ,  B01J 35/02 J ,  C07C 9/04 ,  C07C 29/15 ,  C07C 31/04 ,  C07C 45/61 ,  C07C 47/04 ,  C07C 51/15 ,  C07C 53/02 ,  C07B 61/00 300

F-Term (58)：

4G069AA03 ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BB15B ,  4G069BC05B ,  4G069BC20A ,  4G069BC20B ,  4G069BC30A ,  4G069BC31B ,  4G069BC32B ,  4G069BC34A ,  4G069BC35B ,  4G069BC65A ,  4G069BC69A ,  4G069BC70B ,  4G069BC72B ,  4G069BC75B ,  4G069CA07 ,  4G069CA08 ,  4G069CA20 ,  4G069DA05 ,  4G069EA07 ,  4G069FA03 ,  4G069FB23 ,  4H006AA04 ,  4H006AC11 ,  4H006AC41 ,  4H006AC45 ,  4H006AC46 ,  4H006BA05 ,  4H006BA06 ,  4H006BA07 ,  4H006BA09 ,  4H006BA10 ,  4H006BA11 ,  4H006BA12 ,  4H006BA14 ,  4H006BA19 ,  4H006BA27 ,  4H006BA30 ,  4H006BA32 ,  4H006BA33 ,  4H006BA35 ,  4H006BA36 ,  4H006BA56 ,  4H006BA95 ,  4H006BE41 ,  4H006BE60 ,  4H006BS10 ,  4H006FE11 ,  4H039CA11 ,  4H039CA60 ,  4H039CA62 ,  4H039CA65 ,  4H039CB40 ,  4H039CC20