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J-GLOBAL ID:200903023919249558
化学増幅ポジ型レジスト材料
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001210657
Publication number (International publication number):2002099090
Application date: Jul. 11, 2001
Publication date: Apr. 05, 2002
Summary:
【要約】【解決手段】 カルボキシル基又はフェノール性水酸基を含むアルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの該カルボキシル基又はフェノール性水酸基の水素原子の少なくとも一部に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性もしくは難溶性の1種又は2種以上の樹脂を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であって、上記樹脂が少なくとも2種の酸不安定基を含み、その一方の酸不安定基がアセタールもしくはケタール基であり、他方の酸不安定基が3級炭化水素基又は3級炭化水素基を含む置換基であることを特徴とする電子線又は軟X線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は電子ビーム露光における露光後の真空放置の安定性に優れ、Cr基板上での裾引きが小さく、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にマスク基板加工における微細パターン形成材料として好適である。
Claim (excerpt):
カルボキシル基又はフェノール性水酸基を含むアルカリ水溶液に可溶なベースポリマーの該カルボキシル基又はフェノール性水酸基の水素原子の少なくとも一部に酸不安定基が導入されたアルカリ不溶性もしくは難溶性の1種又は2種以上の樹脂を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であって、上記樹脂が少なくとも2種の酸不安定基を含み、その一方の酸不安定基が下記一般式(1)-1、(1)-2又は(1)-3で示されるアセタールもしくはケタール基であり、他方の酸不安定基が下記一般式(2)-1又は(2)-2で示される3級炭化水素基又は下記一般式(3)-1又は(3)-2で示される3級炭化水素基を含む置換基であることを特徴とする電子線又は軟X線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1、R2は水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、R1とR2、R1とR3、R2とR3はそれぞれ結合して環を形成してもよい。R3は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数6〜20のアリール基又はアラルキル基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。)【化2】(式中、R19、R20は水素原子又は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示す。又は、R19とR20は結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはR19、R20は炭素数1〜8の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R21は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、b、cは0又は1〜10の整数である。Aは、a+1価の炭素数1〜50の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Bは-CO-O-、-NHCO-O-又は-NHCONH-を示す。aは1〜7の整数である。)【化3】(式中、R4〜R9は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であるが、R4、R5、R6の少なくとも1つ及びR7、R8、R9の少なくとも1つは炭素数5〜20の環状のアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、これらの基は酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。あるいは、R4、R5、R6及びR7、R8、R9はそれぞれ結合して炭素数5〜30の環を形成してもよく、この環は酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。なお、R4、R5、R6の炭素数の合計、R7、R8、R9の炭素数の合計はそれぞれ6〜30である。dは0〜4の整数である。)【化4】(式中、R10、R14は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であるが、R10、R14のどちらかは炭素数5〜20の環状のアルキル基又は炭素数6〜20のアリール基であり、これらの基は酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよい。eは1〜3の整数である。)
IPC (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (15):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AB16
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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ポジ型フォトレジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-082407
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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パターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-091041
Applicant:信越化学工業株式会社
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ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-275334
Applicant:富士写真フイルム株式会社
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感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-258876
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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化学増幅型ポジ型レジスト組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-028895
Applicant:住友化学工業株式会社
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