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J-GLOBAL ID：200903023922902769

半導体記憶装置

Inventor： 河原 尊之 ,  堀口 真志 ,  青木 正和 ,  橘川 五郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993000972
Publication number (International publication number)：1994203557
Application date： Jan. 07, 1993
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 一旦電源から供給された電流をすぐに接地に流してしまうことなく、他の回路に再利用することにより、低消費電流の半導体記憶装置を提供する。【構成】 第1のコモンソース線PP1及びPN1と第2のコモンソース線PP2及びPN2との間に両者を各々ショートするスイッチSP及びSNを設ける。【効果】 VD-VSの振幅に開いた第1のコモンソース線及びデータ線の電荷で、第2のコモンソース線電位を変化させてこの第2のコモンソース線に接続するデータ線を本来の振幅の半分にまで増幅しその後、センスアンプによる増幅を行うことによってデータ線の充放電電流をおよそ半分とすることができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも3つ以上の回路群を有する半導体記憶装置において、第m番目の回路群を動作させたことによって該第m番目の回路群中の寄生容量に蓄えられた電荷を、第n番目の回路群の動作に用いる手段を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/407 ,  G11C 11/413

FI (2)：

G11C 11/34 354 F ,  G11C 11/34 335 A