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J-GLOBAL ID：200903023938597788

熱電変換用半導体材料およびその製造方法

Inventor： 新野 真紀子 ,  三好 実人 ,  古谷 健司 ,  櫛引 圭子 ,  小林 正和
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999058845
Publication number (International publication number)：2000261048
Application date： Mar. 05, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【課題】 安価で、取扱が容易で、生産性の高い金属または合金粉末を、CoSb3を主成分とする熱電変換用半導体材料に分散させて、熱伝導率を低下させて性能指数の改善を図った熱電変換モジュール用の熱電変換用半導体材料を汎用的な焼成プロセスを用いて容易かつ効率良く製造する。【解決手段】 化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、サブミクロンから数百ミクロンの粒径を有する金属または合金粉末を混合した粉末を所望の形状に成形し、水素のような還元性雰囲気または窒素のような非酸化性雰囲気中において、金属または合金粉末の溶融温度よりも低い温度で焼成して性能指数が改善された熱電変換用半導体材料を得る。分散材の添加量は、CoSbx に対して0.01wt% 〜20wt% とするのが好適である。

Claim (excerpt)：

熱電変換モジュールに使用されるP型またはN型の熱電変換用半導体材料において、化学組成がCoSbx (2.7<x <3.4)で表される主成分に、分散材として焼成温度よりも高い融点を持つ金属粉末を分散させたことを特徴とする熱電変換用半導体材料。

IPC (3)：

H01L 35/18 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34

FI (3)：

H01L 35/18 ,  H01L 35/26 ,  H01L 35/34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 三アンチモン化コバルト系複合材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-277615   Applicant：秩父小野田株式会社
• 熱電変換材料、及び、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-136083   Applicant：松下電工株式会社
• Co-Sb系熱電材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-318193   Applicant：松下電器産業株式会社