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J-GLOBAL ID：200903023941958368

半導体装置

Inventor： 岩松 誠一
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993082203
Publication number (International publication number)：1994295991
Application date： Apr. 08, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】低電圧で書き込み可能で高速動作も可能なアンチフューズメモリ素子を高い歩留まりで生産する事ができるアンチフューズメモリ材料を提供する。【構成】アンチヒューズメモリ素子がアモルファスGeSi膜あるいはアモルファスIII-V族化合物半導体膜から成る半導体装置。またアモルファスGeSi膜にIII族元素、V族元素、IV族金属元素、II族金属元素等をドープする手段を取る。またアモルファスIII-V族化合物半導体膜の例としては、アモルファスGaAs,GaAlAs,GaSb,InN,InP,InAs,InSbなどとする。また、アモルファスIII-V族化合物半導体膜にZn,Cd,Se,Te,Fe,Co,Ni,Be,Mg,S,O,CrなどのアモルファスIII-V族化合物半導体膜の導電型をn型あるいはp型とするドーパントをドープする。【効果】ノイズにも強いアンチフューズメモリ素子を製作できる。

Claim (excerpt)：

アンチヒューズメモリ素子がアモルファスGeSi膜から成る事を特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/10 431 ,  G11C 17/06