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J-GLOBAL ID：200903023945707408

ケミカルドライエッチング方法及びその装置

Inventor： 戸野谷 純一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053421
Publication number (International publication number)：1995263423
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、SiNx層をa-Si層に対して高選択的にエッチングすること。【構成】CF4 ガス、O2 ガス、CH3 OHガスから成るエッチングガス(11)を放電部(10)において励起して中性活性種を発生し、これをエッチング室(13)に輸送し、このエッチング室(13)において中性活性種により被処理体(15)のSiNx層をa-Si層に対して選択的にエッチングする。

Claim (excerpt)：

エッチングガスを励起して中性活性種を発生し、この中性活性種によりSiNx層をa-Si層に対して選択的にエッチングするケミカルドライエッチング方法において、前記エッチングガスとして水素を含むガスが混合されたガスを用いることを特徴とするケミカルドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 J ,  H01L 29/78 311 N