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J-GLOBAL ID：200903023973110646

プラズマ処理装置

Inventor： 長阪 道雄 ,  鬼丸 毅 ,  妹尾 武彦
Applicant, Patent owner： 株式会社プラズマシステム
Agent (1)： 志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994165635
Publication number (International publication number)：1996031803
Application date： Jul. 18, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板表面のプラズマ処理プロセスにおいて、プラズマ発生部で生じた気体活性種の通過を妨げることなく、プラズマで発生した紫外線のみを効果的に遮蔽し得るプラズマ処理装置を提供する。【構成】 反応室11内のプラズマ発生部7と半導体基板Wを保持する基板ホルダー9との間に、その幅方向が気体活性種の流れ方向に対して斜めに向いた複数枚の板体23、23、...を有する複数枚の紫外線遮蔽バッフル板10、10が設けられている。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生部と基板処理部とが分離され、前記プラズマ発生部で発生させた気体活性種を前記基板処理部に導入し、その気体活性種の作用により前記基板処理部内の基板ホルダー上に保持された基板の処理を行なうプラズマ処理装置において、前記プラズマ発生部と前記基板ホルダーとの間に、複数の紫外線遮蔽バッフル板が前記気体活性種の流れ方向に対して垂直となるようにそれぞれ設置され、前記各紫外線遮蔽バッフル板には、長尺の板体がその長さ方向を前記流れ方向に対して垂直に向けるとともに、その幅方向を前記流れ方向に対して斜めに向けるように複数枚、所定寸法離間して設けられるとともに、前記紫外線遮蔽バッフル板のうち少なくともいずれか1枚は、その紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向が、残りの紫外線遮蔽バッフル板における前記板体の幅方向に対して、逆向きの斜め方向となるように設置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-211920
  
• 特開平2-072620
  
• 特開昭54-049073