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J-GLOBAL ID：200903023976815918

針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法

Inventor： 藤嶋 昭 ,  益田 秀樹
Applicant, Patent owner： 東京大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998164772
Publication number (International publication number)：2000001392
Application date： Jun. 12, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来公知の煩雑な工程を採用することなく、微細な針状構造が規則的に配列した針状ダイヤモンドの規則配列を大面積で、安価に作製する方法を提供する。【解決手段】 前記課題を達成するため、本発明の針状ダイヤモント配列構造体の作製方法は、ダイヤモンド基板上に貫通孔を有する陽極酸化アルミナをマスクとして載せ、真空蒸着法によりプラズマエッチングに対する耐性を有する物質を蒸着し、陽極酸化アルミナを除去したのち、ダイヤモンド基板に形成された蒸着ドットをマスクとしてプラズマエッチングを行ない、針状ダイヤモンドが規則的に配列した構造体を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド基板上に貫通孔を有する陽極酸化アルミナをマスクとして載せ、真空蒸着法によりプラズマエッチングに対する耐性を有する物質を蒸着し、陽極酸化ポーラスアルミナを除去したのち、ダイヤモンド基板に形成された蒸着ドットをマスクとしてプラズマエッチングを行ない、針状ダイヤモンドが規則的に配列した構造体を形成することを特徴とする針状ダイヤモンド配列構造体の作製方法。

F-Term (9)：

4G077AA03 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077FB05 ,  4G077FB06 ,  4G077FG02 ,  4G077FG18 ,  4G077HA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-034927
  
• 半導体微細構造の製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-350452   Applicant：古河電気工業株式会社