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J-GLOBAL ID:200903023981993360

有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤村 元彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999212433
Publication number (International publication number):2001035662
Application date: Jul. 27, 1999
Publication date: Feb. 09, 2001
Summary:
【要約】【課題】 N型FETを共通の基板上の特定位置に形成した有機EL素子表示装置を提供する。【解決手段】 透明基板上に複数の発光部がマトリクス状に配置された表示配列を有し、発光部の各々が有機エレクトロルミネッセンス素子及びN型電界効果トランジスタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であって、有機エレクトロルミネッセンス素子は、透明基板上に、少くとも透明電極と電子及び又は正孔の注入によって発光する有機材料層と金属電極が順に積層されてなり、N型電界効果トランジスタはソース電極が電子供給側に接続されドレイン電極が金属電極に接続される。
Claim (excerpt):
透明基板上に複数の発光部がマトリクス状に配置された表示配列を有し、前記発光部の各々が有機エレクトロルミネッセンス素子及びN型電界効果トランジスタを含む有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記透明基板上に、少くとも透明電極と電子及び又は正孔の注入によって発光する有機材料層と金属電極が順に積層されてなり、前記N型電界効果トランジスタはソース電極が電子供給側に接続されドレイン電極が前記金属電極に接続されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子表示装置。
IPC (3):
H05B 33/14 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/26
FI (3):
H05B 33/14 A ,  G09F 9/30 365 B ,  H05B 33/26 Z
F-Term (17):
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5C094AA14 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FB01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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