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J-GLOBAL ID：200903023995844414

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子

Inventor： 千葉 安浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999360163
Publication number (International publication number)：2001176660
Application date： Dec. 20, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 漏れ電流のない安定した発光効率を維持できる有機EL素子の製造方法及び有機EL素子を提供する。【解決手段】 基板1上に、金属材料層2からなる陽極下部電極(金属下部電極)2a、有機発光層43を備えた有機層4及び光hを透過する陰極上部電極5を順次形成する有機EL素子の製造方法において、有機層4を形成する前に、金属材料層2の表面を鏡面研磨する工程を行う。これによって、陽極下部電極2a上の有機層4の膜厚を均一化し、有機層4を挟んで設けられる陽極下部電極2aと陰極下部電極5との間隔を均一化して漏れ電流の発生を防止する。

Claim (excerpt)：

基板上に、金属材料層からなる金属下部電極、有機発光層を備えた有機層及び光を透過させる上部電極を順次形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記有機層を形成する前に、前記金属下部電極を構成する金属材料層の表面を鏡面研磨する工程を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (3)：

H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z

F-Term (10)：

3K007AB00 ,  3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03