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J-GLOBAL ID：200903023995984151

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 橋本 栄
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995240290
Publication number (International publication number)：1997083067
Application date： Sep. 19, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】高出力、低閾値且つ安定な基本横モード発振を可能とした半導体レーザ及びその製造方法を提供する。【解決手段】この発明の半導体レーザは、n-GaAs基板1と、上記n-GaAs基板1上に積層されたn-DBR層2と、上記n-DBR層2上に積層され、その発振領域の周辺部が該発振領域に対して導電性が異なるか導電率が小さく且つ屈折率が小さい化合物半導体で構成されたダブルヘテロ活性層3と、上記ダブルヘテロ活性層3上に積層されるp-DBR層6とで構成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に積層された第1導電型分布ブラッグ反射鏡層と、上記第1導電型分布ブラッグ反射鏡層上に積層され、その発振領域の周辺部が該発振領域に対して導電性が異なるか導電率が小さく且つ屈折率が小さい化合物半導体で構成されたダブルヘテロ構造を有する活性層と、上記活性層上に積層される第2導電型分布ブラッグ反射鏡層と、を具備することを特徴とする半導体レーザ。