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J-GLOBAL ID：200903024002412103

半導体ウエハの処理装置及びそれを用いた半導体ウエハの処理方法

Inventor： 青木 正
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994303348
Publication number (International publication number)：1996162418
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハ表面への異物の付着を低減して、安定した装置の稼働率を維持する処理技術を提供する。【構成】半導体ウエハの処理装置1において、成膜処理を行なう反応炉2と、それに適した温度まで炉2内を加熱を行なうヒータ部7と、炉2内にガスの導入を行なうガス配管8と、排気を行なう排気管9とを有し、配管8には炉2内へのガスの導入量を制御するマスフローコントローラー10が設けられ、排気管9には炉2内の排気量を制御する自動可変ダンパー12が設けられて、ダンパー12は、コントローラ10の炉2内へのガス導入量を検出し、その結果が所定の値に達したときに動作させる。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハに所定の被膜を形成する処理装置において、少なくとも半導体ウエハに所定の被膜を形成する処理を行なう反応炉と、半導体ウエハに被膜を形成するのに適した温度まで前記反応炉内の加熱を行なうヒータ部と、前記反応炉内へのガス導入を行なうガス導入部と、前記反応炉内の排気を行なう排気部とを有し、前記ガス導入部には前記反応炉内へのガスの導入量を制御するマスフローコントローラーが設けられ、前記排気部には前記反応炉内の排気量を制御する自動可変ダンパーが設けられていることを特徴とする半導体ウエハの処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/31