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J-GLOBAL ID：200903024027180258

コンタクトプラグ形成方法

Inventor： 二河 秀夫
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992221083
Publication number (International publication number)：1994069155
Application date： Aug. 20, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 平坦性に優れたコンタクトプラグを形成する。【構成】 コンタクト孔を有する下地基板11,12,13上に、密着層14を形成する。W15を全面堆積し表面を酸化することでW酸化膜16を形成する。次に、熱処理することでW酸化部16を除去し、表面モフォロジーを改善する。その後、エッチバックする。表面モフォロジーに起因するW残渣が少なくなるので、オーバーエッチ時間の短縮が可能となる。したがって、コンタクトプラグ部のW厚減少がなく、平坦性に優れたコンタクトプラグを形成できる。

Claim (excerpt)：

コンタクト孔を有する下地基板上に、タングステンを全面堆積する工程、次に前記タングステンの表面を酸化したのち、真空中での熱処理により前記タングステンの酸化層を除去する工程、その後、前記タングステンを全面エッチングする工程を備えたことを特徴とするコンタクトプラグ形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90