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J-GLOBAL ID：200903024034915212

光半導体装置

Inventor： 為本 広昭
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371352
Publication number (International publication number)：2000196150
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】バックライト光源、ディスプレイなど各種光源に利用される光半導体装置に係わり、特に、信頼性及び生産性に優れた光半導体装置を提供することにある。【解決手段】表面に開口を有するパッケージ105と、開口底面上にダイボンド部材によってダイボンドされた矩形状の光半導体素子102と、光半導体素子102の同一面側の隅部に対向配置された一対の電極とパッケージに設けられた一対のリード電極104とをそれぞれ接続させる導電性ワイヤ103と、少なくとも光半導体素子を被覆するモールド部材207とを有する光半導体装置100である。特に、発光観測面側から見た開口部は光半導体素子の一対の電極間と略平行方向が垂直方向よりも長く、且つダイボンド部材101が光半導体素子102の一対の電極間と略垂直方向の開口部側壁208と光半導体素子202の側面を被覆している光半導体装置である。

Claim (excerpt)：

表面に開口を有するパッケージ(105)と、該開口底面上にダイボンド部材(101)によってダイボンドされた矩形状の光半導体素子(102)と、該光半導体素子の同一面側の隅部に対向配置された一対の電極と前記パッケージに設けられた一対のリード電極(104)とをそれぞれ接続させる導電性ワイヤ(103)と、少なくとも光半導体素子を被覆するモールド部材(207)とを有する光半導体装置(100)であって、発光観測面側から見た前記開口部は光半導体素子の一対の電極間と略平行方向が垂直方向よりも長く、且つ前記ダイボンド部材(101)が光半導体素子の一対の電極(200)間と略垂直方向の開口部側壁(208)と光半導体素子(202)の側面を被覆していることを特徴とする光半導体装置。

F-Term (13)：

5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041DA13 ,  5F041DA17 ,  5F041DA42 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DA55