半導体多層基板および半導体多層膜の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994137083
Publication number (International publication number)：1996008488
Application date： Jun. 20, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】基板への微小な凹凸の形成あるいは傾斜方向へ細長い成長領域を形成することで転位の少ない良好な格子定数または極性の異なる半導体多層基板を提供する。【構成】 <001>方向の表面を有するSi基板31表面上に全ての方向に対してステップを有するように、山状の凸部32を形成する。そして、この凸部の形成された半導体基板上に上に厚み2nmのGaAs結晶薄膜33および100nmのSi結晶薄膜34を成長して半導体多層基板を得る。

Claim (excerpt)：

山状の凸部を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成され前記半導体基板と格子定数または極性の異なる半導体結晶とを有する半導体多層基板。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/02 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-179788
特開平2-288283
特開平2-161718

Show all

Return to Previous Page