半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993216627
Publication number (International publication number)：1994168942
Application date： Aug. 31, 1993
Publication date： Jun. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】素子のより一層の微細化と高集積化を図った際においても、信頼性を高めることを可能にした半導体装置を提供する。【構成】配線2中を配線幅方向に横切り、電流導通時に原子もしくは空孔の障壁となる複数の障壁部1を備える半導体装置である.隣り合う障壁部1の間隔Rは、R≦Rc′(ただし、Rc′は電流導通時にエレクトロマイグレーションにより配線を流れる正味の原子もしくは空孔の流束Js がエレクトロマイグレーションによる本来の原子もしくは空孔の流束J0 の 30%となる臨界長さ)である。

Claim (excerpt)：

配線中を配線幅方向に横切り、電流導通時に原子もしくは空孔の障壁となる複数の障壁部を備え、前記隣り合う障壁部の間隔Rが、R≦Rc′(ただし、Rc′は電流導通時にエレクトロマイグレーションにより配線を流れる正味の原子もしくは空孔の流束Js がエレクトロマイグレーションによる本来の原子もしくは空孔の流束J0 の 30%となる臨界長さ)であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 , H01L 21/82

FI (3)：

H01L 21/88 B , H01L 21/88 M , H01L 21/82 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-115138
特開平2-165632
特開平4-206528

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