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J-GLOBAL ID：200903024042492827

光吸収膜の形成方法

Inventor： 中島 靖志
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996204578
Publication number (International publication number)：1998050674
Application date： Aug. 02, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】高い光吸収能力を有する光吸収膜を安全かつ低コストで、制御の容易な工程を用いて、歩留り良く形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜の上方にシリコン-酸素間の結合エネルギーより小なる結合エネルギーを有するシリコン化合物ガス(例えばSiBr4ガスまたはSiF4ガス)を導入する工程と、酸素ガスを導入し、前記シリコン化合物ガスと空間で反応させて酸化シリコンを形成しつつ反応系の圧力を上昇させながら前記シリコン膜上に前記酸化シリコンを付着させる工程と、成分に炭素を含まず、シリコン酸化物に比較してシリコンに対するエッチングレートが大きな特性を持つ混合ガス(例えば水素化臭素、三弗化窒素及び酸素の混合ガス)を用いて、前記シリコン膜に対してリアクティブ・イオン・エッチングを行う工程と、を順に施す光吸収膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

光吸収膜を形成する基体上にシリコン膜を成膜する工程と、前記シリコン膜をエッチング容器内に設置し、前記シリコン膜の上方にシリコン-酸素間の結合エネルギーより小なる結合エネルギーを有するシリコン化合物ガスを前記エッチング容器内に導入する工程と、酸素ガスを前記エッチング容器内に導入し、前記シリコン化合物ガスと空間で反応させて酸化シリコンを形成しつつ前記エッチング容器内の圧力を上昇させながら前記シリコン膜上に前記酸化シリコンを付着させる工程と、成分に炭素を含まず、かつ1種もしくは複数のガスからなり、シリコン酸化物に比較してシリコンに対するエッチングレートが大きな特性を持つ混合ガスを前記エッチング容器内に導入する工程と、前記混合ガスを用いて前記シリコン酸化物が付着した前記シリコン膜に対してリアクティブ・イオン・エッチングを行う工程と、を順に施すことを特徴とする光吸収膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0248 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/08 G