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J-GLOBAL ID：200903024042781764

半導体レーザ素子の製造方法

Inventor： 岩井 則広 ,  粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996010518
Publication number (International publication number)：1997205247
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 製造歩留りが向上し、また、素子特性も向上する埋込型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に活性層領域14を有するストライプ状凸部16を形成し、また、他の基板21上に少なくとも、前記活性層領域14よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい半導体からなる電流狭窄層25を積層して、前記電流狭窄層25中にストライプ状凹部26を形成し、前記凸部16と前記凹部26を嵌め合わせ、接合し、前記凸部16の活性層14の側面を前記凹部26の電流狭窄層25の側面で覆う。

Claim (excerpt)：

基板上に活性層を有するストライプ状凸部を形成し、また、他の基板上に少なくとも、前記活性層よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい半導体からなる電流狭窄層を積層して、前記電流狭窄層中にストライプ状凹部を形成し、前記凸部と前記凹部を嵌め合わせ、接合し、前記凸部の活性層の側面を前記凹部の電流狭窄層の側面で覆うことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。