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J-GLOBAL ID：200903024049070014

鉛系強誘電体薄膜とその作製方法

Inventor： 小木 勝実 ,  曽山 信幸 ,  厚木 勉
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 広瀬 章一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993119683
Publication number (International publication number)：1994333419
Application date： May. 21, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 基板上に外部からの原料供給によって成膜し、成膜中または成膜後に結晶化のために薄膜を加熱する鉛系強誘電体薄膜の作製において、熱処理中に鉛損失が起こらず、結晶が微細 (結晶粒径1000Å以下) で均一であり、表面が平坦で表面性状に優れ、薄膜全体にわたって特性が均一な、均質性に優れた鉛系強誘電体薄膜を得る。【構成】 Pbを含有せず、Tiを含有する数Å程度のTi含有層 (Ti金属、TiO2、またはSrTiO3などの複合酸化物) を基板表面に形成してから成膜を行う。このTi含有層は、Pt/Ti/SiO2/Si 基板の焼成によるTiのPt層への拡散、或いは蒸着やゾルゲル法などにより形成できる。

Claim (excerpt)：

基板上に外部からの原料供給によって成膜し、成膜中または成膜後に薄膜結晶化のための基板の加熱を行う鉛系強誘電体薄膜の作製方法において、Pbを含有せず、Tiを金属または酸化物として含有するTi含有層を基板表面に形成してから成膜を行うことを特徴とする、鉛系強誘電体薄膜の作製方法。

IPC (6)：

H01B 3/00 ,  C01G 23/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 16/22 ,  C30B 5/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開平4-133369
  

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-126116
  
• 特開平4-133369