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J-GLOBAL ID：200903024066408169

プラズマ処理装置

Inventor： 近藤 一喜 ,  西森 康博 ,  谷口 道夫
Applicant, Patent owner： 株式会社ダイヘン
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992190548
Publication number (International publication number)：1994037048
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 処理すべき試料の表面に対して従来例に比較して均一にかつ安定に高い密度のプラズマを照射することができ、しかも小型・軽量化することができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部で、上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生装置と、上記直流磁界の方向に対して垂直な方向を有するとともに、所定の同一の角速度を有しかつ互いに異なる所定の位相差を有して回転する複数の回転電界を、上記プラズマ処理室の内部で互いに所定の距離だけ離れてそれぞれ発生することによって、上記直流磁界の方向に向かって右回りで旋回する回転電界を発生する複数の電界発生装置とを備えた。

Claim (excerpt)：

内部が真空状態に設定されたプラズマ処理室内でプラズマを発生させて試料に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置において、上記プラズマ処理室の内部で、上記試料に向かう方向に直流磁界を発生する磁界発生手段と、上記直流磁界の方向に対して垂直な方向を有するとともに、所定の同一の角速度を有しかつ互いに異なる所定の位相差を有して回転する複数の回転電界を、上記プラズマ処理室の内部で互いに所定の距離だけ離れてそれぞれ発生することによって、上記直流磁界の方向に向かって右回りで旋回する回転電界を発生する複数の電界発生手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• プラズマ発生方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-072653   Applicant：松下電器産業株式会社