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J-GLOBAL ID：200903024076178439
低温成膜用ITOタ-ゲツト
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992090048
Publication number (International publication number)：1993112866
Application date： Mar. 17, 1992
Publication date： May. 07, 1993
Summary：
【要約】【目的】【構成】 焼結密度80%以上100%以下、且つ焼結粒径5μm以上30μm以下のITO焼結体タ-ゲットに関し、この焼結体は、ITO粉末成型体を1450°C以上で焼結させることにより得られる。【効果】 本発明のITO焼結体タ-ゲットは焼結密度が高く、焼結粒径を大きくすることにより、膜の結晶化を促進するスパッタ粒子中の酸素原子が増大され、低温基板上に高透明で低抵抗な透明導電膜を形成することが可能である。
Claim (excerpt)：
焼結密度80%以上100%以下、且つ焼結粒径5μm以上30μm以下のITO焼結体タ-ゲット。
IPC (2)：
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