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J-GLOBAL ID：200903024082161858

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 張 宏勇 ,  安達 広樹 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253825
Publication number (International publication number)：1995094751
Application date： Sep. 16, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 歪み点(歪み温度)が750°C以下の材料のガラス基板上に形成された特性、信頼性の良好な薄膜トランジスタ(TFT)およびそれを形成する方法を提供する。【構成】 基板上に形成された100〜1000Åのシリコン膜を熱的に酸化させ、生じた酸化物によってTFTのゲイト絶縁膜を形成する。このとき、基板に熱的なダメージを与えないように、水蒸気を含んだ雰囲気、あるいは2〜10気圧の高圧の酸素雰囲気中で加熱することによって酸化反応を促進させることによって、550〜650°Cという低温で酸化をおこなう。さらに、酸化工程後に、一酸化窒素および/またはアンモニアによって酸化膜中の珪素-水素結合(Si-H) を、珪素-窒素 (Si≡N)もしくは珪素-窒化水素結合 (Si=NH 、Si-NH2) に置き換えることによって、ゲイト絶縁膜をホットエレクトロン等に耐えられるだけの丈夫なものとする。

Claim (excerpt)：

1500Å以下の厚さを有する活性層を酸化せしめ、前記活性層の厚さを50Å以上減少せしめるとともに、前記活性層の絶縁性酸化物により構成されたゲイト絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-039070
  
• 特開平2-224340
  
• 特開昭62-145775
  
• 特開平1-149475
  
• 特開平4-304677