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J-GLOBAL ID：200903024098791975
埋め込み成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997028609
Publication number (International publication number)：1998223535
Application date： Feb. 13, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 MBE法では原料分子線の直進性から不可能であるとされる、逆メサ基板上への埋め込み成長が可能な埋め込み成長装置を提供することを目的とする。【解決手段】 11は真空容器は、真空ポンプ12により排気できる。13は加熱できる基板ホルダーであり、14は逆メサストライプ加工を施したレーザ薄膜基板である。15は分子線源としての円盤状の多結晶ZnSe板であり、ヒーター16によって加熱できるようになっている。分子線源15は、基板14の埋め込む面の任意の部位に対して前記部位を見込むことのできる分子線源上の点が少なくとも1カ所以上あるようになっており、埋め込み部位のあらゆる場所に原料分子線が直接到達させることができる。
Claim (excerpt)：
真空容器と、前記真空容器内に設けられた埋め込み成長を行う基板を保持する基板ホルダーと、前記真空容器内に設けられた埋め込み成長用の分子線源とを有し、前記基板の埋め込む面の任意の部位に対して前記部位を見込むことのできる点が少なくとも1カ所以上前記分子線源上に存在することを特徴とする埋め込み成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/203 M
, C30B 23/08 M
