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J-GLOBAL ID：200903024104641280
太陽電池及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991244939
Publication number (International publication number)：1993063219
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 特性が良好で、且つ実使用時の耐久性の高い太陽電池と、この太陽電池を歩留まりよく製造できる製造方法を提供する。【構成】 基体101上に半導体層103、104、105を堆積してなる薄膜の太陽電池において、前記半導体の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層107をコーティングし、該パッシベ-ション層の上に導電性ペーストからなる集電電極108を積層したことを特徴とする。また、基体上に半導体層を堆積してなる薄膜の太陽電池製造方法において、前記半導体層の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層をコーティングし、該パッシベーション層の上に前記高分子樹脂を溶解し得る成分を含有する導電性ペーストからなる集電電極を積層することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基体上に半導体層を堆積してなる薄膜の太陽電池において、前記半導体層の上部に高分子樹脂からなるパッシベーション層をコーティングし、該パッシベ-ション層の上に導電性ペーストからなる集電電極を積層したことを特徴とする太陽電池。
FI (2)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 M
