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J-GLOBAL ID：200903024119681300

ウェーハの研削方法

Inventor： 高沢 徹
Applicant, Patent owner： 株式会社ディスコ
Agent (1)： 佐々木 功 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997003622
Publication number (International publication number)：1998199832
Application date： Jan. 13, 1997
Publication date： Jul. 31, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェーハ等の被加工物をダイシングまたは研磨等の研削加工を施す際に、摩擦熱によって相乗的に発生する酸化作用を防止して、酸化作用によって生ずる種々の不都合をを解消させることである。【解決手段】 本発明においては、半導体ウェーハ等の被加工物に研削液体を供給しながら研削砥石で研削を遂行する研削方法であって、少なくとも研削砥石とウェーハとの接触部が不活性ガスの雰囲気中にあって、研削砥石またはウェーハの酸化を防止しながら研削を遂行する研削方法である。そして、研削部位に不活性ガスが入り込むことにより、研削点または面において摩擦熱が生じても酸化作用はないので、酸化による発熱が防止され、研削砥石の摩耗促進が抑制されると共に、熱の発生による種々の不都合を解消できるのである。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハをチャックテーブルに保持する工程と、該チャックテーブルに保持されたウェーハに研削液体を供給しながら研削砥石で研削を遂行する研削工程と、からなるウェーハの研削方法であって、該研削工程において、少なくとも研削砥石とウェーハとの接触部が不活性ガスの雰囲気中にあって、研削砥石またはウェーハの酸化を防止しながら切削を遂行することを特徴とするウェーハの切削方法。