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J-GLOBAL ID：200903024144863331

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中野 博文 ,  松岡 敬
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244219
Publication number (International publication number)：1993198596
Application date： Aug. 19, 1992
Publication date： Aug. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】 深いリセス溝を有する半導体装置において微細な寸法でT型電極を安定に形成する。【構成】 リセス溝1aを形成した後、リセス溝1aのゲート電極が形成されるべき領域以外をレジスト21で充填し、さらに、リセス溝1a形成時に半導体基板1表面に形成したマスク材(15,19)を、形成したリセス溝1aよりも広くなるように除去し、ゲート金属10を蒸着させる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された溝内に断面T字型の電極を配置してなる半導体装置において、基板上に形成された第1の溝部と、該第1の溝部の底面に形成された第2の溝部と、その下方部分が上記第2の溝部の底面に接合し、その上方部分が上記第2の溝部内側に位置する断面T字型の電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-049240
  
• 特開平2-307231
  
• 特開平3-027536