Pat

J-GLOBAL ID：200903024156802982

MOSトランジスタとその製造方法

Inventor： 朝倉 藤雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992064318
Publication number (International publication number)：1993267651
Application date： Mar. 23, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】熱工程時のしきい値電圧の制御の容易なディープサブミクロンスケールのDMOSトランジスタを提供する。【構成】ソース8側から設けられたDSA領域6のソース近傍チャネル領域に、不純物濃度がドレイン4の方向に増加するソース端逆DSA領域10が設けられる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面にソース,ドレイン,ゲート絶縁膜,及び前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、チャネル領域の不純物分布が前記ソースから前記ドレインにかけて次第に希薄になるDSA型のMOSトランジスタにおいて、前記ソース近傍の前記チャネル領域に、不純物濃度が前記ドレインの方向に増加する領域を有することを特徴とするMOSトランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭54-124686
  
• 特開昭59-061185