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J-GLOBAL ID：200903024158933804

半導体発光装置

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997117747
Publication number (International publication number)：1998308552
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】微細な領域に高密度で集積化できるマルチビーム光源を提供する。【解決手段】半導体結晶による正六角柱状の導波路を選択成長技術により形成し、各側面に独立に駆動できる発光活性層を設けて面発光レーザを構成する。

Claim (excerpt)：

光導波層を構成する柱状多角形の半導体結晶側面に発光活性層を設けた導波路構造に対して、垂直共振器を形成した半導体発光素子が各側面の数だけマルチビーム光源を形成してあり、上記マルチビーム光源が高速情報・信号処理が可能な光情報処理或いは光通信システムに搭載し構成してあることを特徴とする半導体発光装置。