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J-GLOBAL ID：200903024162714785

赤外発光素子用エピタキシャル基板およびこれを用いた発光素子

Inventor：
吉永 敦

About 吉永 敦


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999119653
Publication number (International publication number)：2000312025
Application date： Apr. 27, 1999
Publication date： Nov. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】DDH構造の高出力、長寿命のGaAlAs赤外発光ダイオードを作製するためのエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】 第1のp型層のドーパントをZn、p型クラッド層およびp型活性層のドーパントをGe、n型クラッド層および第2のn型層のドーパントをTeとし、n型クラッド層および第2のn型層の平均キャリヤ濃度を8×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>〜2×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>、n型クラッド層厚を60μm以上、第2のn型層中のZn及びGe濃度の和を1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以下、n型クラッド層と第2のn型層との界面の第2のn型層側へ3μm以内の領域におけるドーパント濃度を3×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上、n型クラッド層と第2のn型層のAl組成を0<y1<0.35かつ0<y2<0.35とする。
Claim (excerpt)：
p型GaAs単結晶基板上に第1のp型Ga1-x1Alx1As層、p型Ga1-x2Alx2Asクラッド層、発光波長が850〜900nmになるように調整したp型Ga1-x3Alx3As活性層、n型Ga1-y1Aly1Asクラッド層、および第2のn型Ga1-y2Aly2As層を順次エピタキシャル成長させた後、前記p型GaAs単結晶基板を除去することからなる積層基板において、第1のp型層のドーパントがZnであり、かつp型クラッド層及び活性層のドーパントがGeであることを特徴とする赤外発光素子用エピタキシャル基板。
F-Term (12)：
5F041AA04 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA64 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041FF14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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