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J-GLOBAL ID：200903024168769786

半導体製造装置用の基板保持プレート

Inventor： 森田 正 ,  植松 正紀 ,  稲川 幸之助 ,  中山 泉
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 八木田 茂 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992207850
Publication number (International publication number)：1994061335
Application date： Aug. 04, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】従来の基板保持プレートの低い耐食性を改良して、腐食性雰囲気中でも長期間安定に使用できる基板保持プレート及びその製造方法を提供する。【構成】熱分解窒化硼素(P-BN)のベースプレート1の一方側の表面上に基板を固定する静電チャック用電極2を、また他側の表面上に基板加熱ヒータ用電極3が設けられ、さらにこれらの電極を絶縁するためにベースプレートの両面は熱分解窒化硼素の絶縁体4で覆われている。このように構成されたプレート組立体はスパッタリング装置を用いて、基板保持プレートにバイアス電圧を印加しながら、Al2O3からなる緻密な耐食性保護膜5が形成される。また保護膜はAlN,AlONを用い蒸着法やCVD法などによっても形成される。

Claim (excerpt)：

ベースプレートの一側の表面上に基板固定する静電チャック用電極をまた他側の表面上に基板を加熱するヒータ用電極をそれぞれ設け、これらの電極の上から電気絶縁体で覆ってなる半導体製造装置用の基板保持プレートにおいて、基板保持プレートの少なくとも腐蝕性物質に晒される表面部分に耐蝕性保護膜を設けたことを特徴とする半導体製造装置用の基板保持プレート。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-206755
  
• 特開平3-183151
  
• 特開平4-298062