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J-GLOBAL ID：200903024175577094

電界シールド用透明導電膜

Inventor： 足立 健治 ,  山中 厚志 ,  東福 淳司 ,  飯田 貞博 ,  行延 雅也 ,  折田 桂一
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社 ,  東北化工株式会社
Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993044548
Publication number (International publication number)：1994234552
Application date： Feb. 09, 1993
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜強度,耐候性,透明性,電界シールド性に優れた電界シールド用透明導電膜を提供する。【構成】 2層の積層からなる電界シールド用透明導電膜である。第1層は、ITO分散シリケート膜2であり、ガラス基板1上に成膜され、第2層は、第1層を覆うオーバーコート4である。ITO分散シリケート膜2は、インジウム錫酸化物(ITO)粒子3をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、粒径,含有量を特定して透明性を改善し、導電性を調整している。オーバーコート4は、シリケートガラス膜である。その膜厚を規定し、膜強度,耐候性を改善するとともに反射防止の効果を得る。

Claim (excerpt)：

ITO分散シリケート膜とオーバーコートとの2層積層からなり、ITO分散シリケート膜を第1層,オーバーコートを第2層としてガラス基板上に形成する電界シールド用透明導電膜であって、ITO分散シリケート膜は、ITO粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、ITO粒子は、粒径が50nm以下の粒子を粒子体積分率で50%以上含み、膜体積に対するITO粒子の体積は、体積率で35〜95%であり、オーバーコートは、0.08μm以上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シールド用透明導電膜。

IPC (2)：

C03C 17/34 ,  C09K 3/16 101

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 低反射帯電防止膜およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-267163   Applicant：旭硝子株式会社