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J-GLOBAL ID:200903024182308414

濾過装置及びそれによる真空ポンプ系保護方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994011899
Publication number (International publication number):1995213844
Application date: Feb. 03, 1994
Publication date: Aug. 15, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体デバイス製造装置の排ガス排出用真空ポンプ系を保護する手段を提供すること。【構成】 三重ダクト構造の屈曲気体流路中に耐食性繊維からなる濾材層を架設してなり、かつ後続の真空ポンプ系の排気速度の0.1〜10倍のコンダクタンス値を有するようにした濾過装置。
Claim (excerpt):
半導体デバイス製造装置からの排ガスを排出するための真空ポンプ系の前に設置して真空ポンプ系に入る前の排ガスを濾過するために、外殻ダクト、中間ダクト、および排ガス導入用内側ダクトをほぼ同軸に配置してなり、内側ダクトと中間ダクトとの間に形成される環状空間部に同じ環状形状の2枚またはそれ以上の多孔板の間に挟持された耐食性繊維からなる濾材層を架設した三重ダクト構造の濾過装置であり、外殻ダクトの一端部を閉じてその閉鎖端部に両端開口内側ダクトの一端部を貫通突出せしめた状態として排ガス導入部となし、中間ダクトの一端部は、中間ダクトと外殻ダクトとの間に形成される大径環状空間と前記濾材層架設環状空間との間に気体連通部を形成する状態で前記閉鎖端部へ固着し、中間ダクトの他端部は内側ダクトの開口内端部よりも遠方にまで延在して、閉鎖されて導入ガス衝突板を形成すると共に内側ダクトと前記濾材層架設環状空間とを連通させ、外殻ダクトの他端部は、中間ダクトの閉鎖端部よりも遠方にまで延在して濾過済排ガス排出部を残して閉鎖されており、そして後続の真空ポンプ系の排気速度の0.1〜10倍に相当するコンダクタンス値を有することを特徴とする上記濾過装置。
IPC (6):
B01D 50/00 501 ,  B01D 50/00 ,  B01D 50/00 502 ,  B01D 45/08 ,  B01D 46/30 ,  H01L 21/3065
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開平3-229414
  • 特開昭63-209727

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