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J-GLOBAL ID:200903024185376569

半導体光集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 杉村 暁秀 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991241412
Publication number (International publication number):1993080362
Application date: Sep. 20, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】 光の通過経路にあまり依存せずに、光入出力の間での光損失の変動が少ない光集積回路を、損失補償用の半導体増幅器の個数をできるだけ抑えながら実現することにある。【構成】 光入力アレイ1、および同一の種類の光素子を並べた光回路アレイ(例えば光スイッチ、または光合分岐などの光回路アレイ)2が1段または複数段、および光出力アレイ3から成り、各々隣接するアレイの光回路間を光導波路4(401, 412, 423, 434, 445, 456) で接続する半導体光集積回路において、前記光回路アレイを構成する光回路のピッチ(間隔)を光入力アレイ1のピッチおよび光出力アレイ3のピッチよりも十分に小さくとるとともに、この半導体光集積回路の損失補償用の半導体増幅器5を光入力アレイまたは/および光出力アレイに設置した半導体光集積回路である。
Claim (excerpt):
光入力アレイ、および同一の種類の光素子を並べた光回路アレイが1段または複数段、および光出力アレイから成り、各々隣接するアレイの光回路間を光導波路で接続する半導体光集積回路において、前記光回路アレイを構成する光回路のピッチ(間隔)を光入力アレイのピッチおよび光出力アレイのピッチよりも十分に小さくとるとともに、この半導体光集積回路の損失補償用の半導体増幅器を光入力アレイまたは/および光出力アレイに設置したことを特徴とする半導体光集積回路。
IPC (3):
G02F 1/313 ,  G02B 6/12 ,  H01L 27/15

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