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J-GLOBAL ID：200903024190408509
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993176100
Publication number (International publication number)：1995086302
Application date： Jun. 22, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ソース・ドレイン電極引出し用の配線をCVD法を必要としない金属膜にて形成し、且つそのパターニング工程で当該金属膜と画素電極との間で電池反応が生じないようにすると共に、スループットの向上を図る。【構成】 ソース・ドレイン電極106に接続されるドレイン配線116A用のアルミ膜121の上面にモリブデン膜122を形成しておき、このモリブデン膜の上面にレジストを塗布して、該レジストの露光,現像等の処理を行なう。【効果】 モリブデン薄膜122の働きによってレジストの現像液がアルミ膜121に達しないので、画素電極117とアルミ膜121との間の電池反応が防止される。モリブデン膜122は、アルミ膜121用のエッチング液によりその端部が「ひさし」状に削られ、これが折れて液中に浮遊するが、すぐに溶解されるため、他の部分に付着することがなく、ショート等が回避される。
Claim (excerpt)：
ソース・ドレイン電極の少なくとも一方に接続された電極引出し配線用のアルミ系金属膜の上面にモリブデン膜が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4)：
H01L 21/336
, G02F 1/136 500
, H01L 29/40
, H01L 29/784
