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J-GLOBAL ID：200903024191921714

太陽電池の製造方法

Inventor： 猪股 洋介 ,  福井 健次 ,  白沢 勝彦
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999143387
Publication number (International publication number)：2000332279
Application date： May. 24, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 太陽電池の表面電極1eの幅を小さくした場合でも十分な接合強度を有する電極1eの構造を提供することを目的とする。【解決手段】 一導電型多結晶シリコン基板1の一主面側に他の導電型不純物1bを拡散させて両主面側に電極1e、1fを被着形成する太陽電池の製造方法であって、上記多結晶シリコン基板1の一主面側もしくは両主面側の上記電極1e、1fの被着部にリアクティブイオンエッチング法で微細な突起1aを多数形成して上記電極1eを被着形成する。

Claim (excerpt)：

一導電型多結晶シリコン基板の一主面側に他の導電型不純物を拡散させて両主面側に電極を被着形成する太陽電池の製造方法において、前記多結晶シリコン基板の一主面側もしくは両主面側の前記電極の被着部にリアクティブイオンエッチング法で微細な突起を多数形成して前記電極を被着形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/302 C

F-Term (14)：

5F004AA16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA34 ,  5F051AA03 ,  5F051CB22 ,  5F051DA03 ,  5F051FA14 ,  5F051FA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 太陽電池素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-170150   Applicant：京セラ株式会社
• リンを含む酸化チタン膜の形成方法並びに太陽電池の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-174964   Applicant：シャープ株式会社