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J-GLOBAL ID：200903024196824571

有機半導体膜および有機半導体装置

Inventor： 西川 尚男 ,  岩佐 義宏 ,  小林 慎一郎 ,  竹延 大志
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004082912
Publication number (International publication number)：2005268721
Application date： Mar. 22, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】 特に有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、nチャネル領域とpチャネル領域とを共に作製することが可能であり、さらには、閾値電圧の制御も可能となる有機半導体膜および有機半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート絶縁膜14と有機半導体層20とを有してなる有機半導体装置1である。ゲート絶縁膜14と有機半導体層20との間の少なくとも一部に、有機半導体層20にアンバイポーラ特性を付与する電圧制御層22を有している。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

有機半導体層と該有機半導体層にアンバイポーラ特性を付与する電圧制御層とからなる有機半導体膜。

IPC (6)：

H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (8)：

H01L29/78 617S ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613A ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/28 ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321C

F-Term (39)：

5F048AA09 ,  5F048AB04 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F110AA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110FF40 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界効果型トランジスタ、これを用いた画像表示装置及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-037047   Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 自己集合化単分子膜による有機薄膜電界効果トランジスターのキャリア制御