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J-GLOBAL ID：200903024204409724
セラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三枝 英二 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993247782
Publication number (International publication number)：1995106736
Application date： Oct. 04, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】本発明の主な目的は、セラミックス配線基板の導体回路部分にのみ選択的に無電解めっきを行なうことができ、しかも均一性、密着性、つき回り性、精密性等に優れためっき皮膜を形成できるセラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法を提供することである。【構成】本発明は、金属接合法により形成した金属導体回路を有するセラミックス配線基板を、パラジウム化合物を金属パラジウムとして0.003〜0.05g/l含有する触媒水溶液で処理した後、還元剤含有水溶液で処理し、次いで無電解めっきを行なうことを特徴とするセラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法を提供するものである。
Claim (excerpt)：
金属接合法により形成した金属導体回路を有するセラミックス配線基板を、パラジウム化合物を金属パラジウムとして0.003〜0.05g/l含有する触媒水溶液で処理した後、還元剤含有水溶液で処理し、次いで無電解めっきを行なうことを特徴とするセラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法。
IPC (2)：
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