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J-GLOBAL ID：200903024205893654

半導体レーザダイオードの素子分割方法

Inventor： 牧田 宏信
Applicant, Patent owner： 関西日本電気株式会社
Agent (1)： 江原 省吾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992163253
Publication number (International publication number)：1994005703
Application date： Jun. 23, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 バー状の半導体基板をレーザダイオード素子ごとに分割するに際して、不所望な分割状態が発生することを未然に防止することにある。【構成】 多数のレーザダイオード素子(2)がストライプ状に形成され、且つ、そのレーザダイオード素子列ごとに分割溝(3)が刻設された半導体ウェーハ(1)を、その列方向と直交する方向に劈開し、その後、劈開されたバー状の半導体基板(4)を各レーザダイオード素子(2)ごとに分割する方法において、分割溝(3)の底部に、その溝方向と一致する方向に沿って分割用V溝(7)を刻設し、その分割溝(3)及び分割用V溝(7)と対応する部位を半導体基板(4)の裏面から押圧力Fでもって押圧することにより、各レーザダイオード(2)ごとに分割する。

Claim (excerpt)：

多数のレーザダイオード素子がストライプ状に形成され、且つ、そのレーザダイオード素子列ごとに分割溝が刻設された半導体ウェーハを、その列方向と直交する方向に劈開し、その後、劈開されたバー状の半導体基板を各レーザダイオード素子ごとに分割する方法において、上記分割溝の底部に、その溝方向と一致する方向に沿って分割用V溝を刻設し、その分割溝及び分割用V溝と対応する部位を半導体基板の裏面から押圧することにより、各レーザダイオードごとに分割するようにしたことを特徴する半導体レーザダイオードの素子分割方法。

IPC (2)：

H01L 21/78 ,  H01S 3/18