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J-GLOBAL ID:200903024221298006
酸化物薄膜作製装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995195067
Publication number (International publication number):1997048698
Application date: Jul. 31, 1995
Publication date: Feb. 18, 1997
Summary:
【要約】【目的】 真空紫外パルスレーザ光を用いたレーザアブレーション法によって、良質な酸化物薄膜を形成する。【構成】 フッ素レーザ8からチャンバ1内に至る外部ガイド9、内部ガイド10を設け、このガイドを介して真空紫外レーザ光をターゲットホルダ2の近傍まで導く。チャンバ1内に導入する酸素が、開口部10bから内部ガイド10内に流入するため、この酸素ガスを、内部ガイド10の先端附近に形成した吸引口21aからロータリーポンプで吸引し、チャンバ1外に排気する。これにより、チャンバ内に導入した酸素が内部ガイド10内に充満する量を低減させる。また、開口部10bから内部ガイド10内に入り込むアブレーション物質を、ニッケル線32等で構成した静電集塵器に吸着させる。
Claim (excerpt):
ターゲットを保持するターゲットホルダを内部に備えるチャンバと、前記チャンバ外に配置され、真空紫外レーザ光を出射するレーザ光源と、前記レーザ光源から前記チャンバ内に至り、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を前記ターゲットホルダの近傍に導き、先端の開口端より出射する導入管と、前記開口端から前記導入管内に流入する前記チャンバ内のガスを、前記開口端近傍の導入管に形成した吸引口から吸引し、前記チャンバ外に排気する排気手段とを備える酸化物薄膜作製装置。
IPC (8):
C30B 29/22 501
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C23C 14/28
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/316
, H01L 39/24 ZAA
FI (8):
C30B 29/22 501 D
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C23C 14/28
, H01L 21/205
, H01L 21/31 B
, H01L 21/316 X
, H01L 39/24 ZAA B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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