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J-GLOBAL ID：200903024226736516

磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor： 風間 典昭
Applicant, Patent owner： アルプス電気株式会社
Agent (1)： 中尾 俊輔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992251207
Publication number (International publication number)：1994103537
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 適正に反強磁性膜の反強磁性を保持することができ、磁気抵抗効果膜および軟磁性膜の単一ドメイン化を図り、適正なバイアス磁界を形成することができ、磁気特性の向上を図ることのできる磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【構成】 磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6とを並設してなる磁気抵抗効果素子3の両側に一対のシールド9を所定間隔を有するように配設し、前記磁気抵抗効果膜4にこの磁気抵抗効果膜4に所定電圧を印加して前記磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6との間にバイアス磁界を発生させるリード線8を接続し、前記磁気抵抗効果膜4と軟磁性膜6との間にCr基合金等からなる高いネール温度を有する反強磁性膜7を介設したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜と軟磁性膜とを並設してなる磁気抵抗効果素子の両側に一対のシールドを所定間隔を有するように配設し、前記磁気抵抗効果膜にこの磁気抵抗効果膜に所定電圧を印加して前記磁気抵抗効果膜と軟磁性膜との間にバイアス磁界を発生させるリード線を接続してなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜と軟磁性膜との間に高いネール温度を有する反強磁性膜を介設したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-152707
  
• 磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-202583   Applicant：富士通株式会社