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J-GLOBAL ID：200903024226775716
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009283
Publication number (International publication number)：1996204001
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 層間絶縁膜のコンタクトホールにプラグが埋め込まれるタイプの半導体装置の製造方法に関し、プラグを形成する際に、プラグロス、トレンチング、あるいはシームなどの不具合を低減することができ、集積密度、信頼性、電気抵抗、表面の平坦化などの向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 下導電層30の表面に層間絶縁膜32を成膜し、この層間絶縁膜32にコンタクトホール36を形成し、このコンタクトホール36に埋め込みプラグ40を形成し、この埋め込みプラグ40を介して、層間絶縁膜の上に成膜される上導電層と下導電層30とを接続する半導体装置の製造方法の改良。層間絶縁膜32の表面に、窒素を含む酸素透過阻止層38を形成し、その後、埋め込みプラグ40を形成する。
Claim (excerpt)：
下導電層の表面に層間絶縁膜を成膜し、この層間絶縁膜にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールに埋め込みプラグを形成し、この埋め込みプラグを介して、前記層間絶縁膜の上に成膜される上導電層と下導電層とを接続する半導体装置の製造方法であって、前記層間絶縁膜の表面に、酸素透過阻止層を形成し、その後、前記埋め込みプラグを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/318
